Stefano Chiussi

Profesor/a titular de universidade

Departamento

Docencia

2021/2022
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G306V01 G306103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 28
V05G301V01 G301103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 108
V11M188V01 M188208 Traballo Fin de Máster OB 30
V11M188V01 M188104 Introducción ás Técnicas de preparación e caracterización de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrónica: Conceptos, materiais e aplicacións OP 9
2020/2021
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G306V01 G306103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 28
V05G301V01 G301103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 116
V05G300V01 G300102 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 0.0
V11M188V01 M188104 Introducción ás Técnicas de preparación e caracterización de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrónica: Conceptos, materiais e aplicacións OP 8
2019/2020
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G300V01 G300102 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 0.0
V05G301V01 G301103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 76
V05G306V01 G306103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 56
2018/2019
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G300V01 G300102 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 126.00
2017/2018
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G300V01 G300102 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 126.00
2016/2017
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G300V01 G300102 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 126.00
2015/2016
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G300V01 G300102 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 140.00
2014/2015
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G300V01 G300102 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 137.00

    2020/2021

    Dispositivos Lab-on-a-chip compatibles - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2016/2017

    Fabricación e caracterización de contactos metal-semicondutor para microelectrónica - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007
    Produción de díodos de Silicio mediante procesamento láser e caracterización dos memos - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2015/2016

    Procesamento láser de aliaxes heteroepitaxiais de Xermanio-Chumbo (GePb) para heteroestruturas con salto de banda directo - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007