Stefano Chiussi

TITULAR DE UNIVERSIDAD - TIEMPO COMPLETO

Departamento

Docencia

2025/2026
Titulación Materia Nome Carác. Horas
11469 21774 Física: Fundamentos de mecánica y termodinámica 39.00
11471 21868 Física: Fundamentos de mecánica y termodinámica 0.00
10395 27729 Introducción a las Técnicas de preparación y caracterización de nanoestructuras 0.00
10395 27733 Nanoelectrónica: Conceptos, materiales y aplicaciones 0.00
10352 28325 Biomateriales avanzados e ingeniería tisular 7.00
10406 53212 Procesos de biofabricación avanzada I 6.00
11585 53338 Física general para telecomunicación 41.20
11586 53414 Física general para telecomunicación 39.00
2024/2025
Titulación Materia Nome Carác. Horas
11469 21774 Física: Fundamentos de mecánica y termodinámica 82.00
11471 21868 Física: Fundamentos de mecánica y termodinámica 39.00
10395 27729 Introducción a las Técnicas de preparación y caracterización de nanoestructuras 6.00
10395 27733 Nanoelectrónica: Conceptos, materiales y aplicaciones 7.00
10395 28301 Trabajo Fin de Máster 0.00
10352 28325 Biomateriales avanzados e ingeniería tisular 7.00
10406 53212 Procesos de biofabricación avanzada I 2.00
2023/2024
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V11M188V01 M188104 Introducción ás Técnicas de preparación e caracterización de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrónica: Conceptos, materiais e aplicacións OP 9
V11M188V01 M188208 Traballo Fin de Máster OB 30
V05G301V01 G301103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 79
V05G306V01 G306103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 39
V04M192V01 M192106 Biomateriales avanzados e enxeñaría tisular OB 7
2022/2023
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V04M192V01 M192106 Biomateriales avanzados e enxeñaría tisular OB 7
V05G301V01 G301103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 97
V11M188V01 M188208 Traballo Fin de Máster OB 30
V11M188V01 M188104 Introducción ás Técnicas de preparación e caracterización de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrónica: Conceptos, materiais e aplicacións OP 9
V05G306V01 G306103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 28
2021/2022
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G301V01 G301103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 108
V11M188V01 M188208 Traballo Fin de Máster OB 30
V11M188V01 M188104 Introducción ás Técnicas de preparación e caracterización de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrónica: Conceptos, materiais e aplicacións OP 9
V05G306V01 G306103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 28
2020/2021
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V11M188V01 M188104 Introducción ás Técnicas de preparación e caracterización de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrónica: Conceptos, materiais e aplicacións OP 8
V05G301V01 G301103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 116
V05G306V01 G306103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 28
2019/2020
Titulación Materia Nome Carác. Horas
V05G306V01 G306103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 56
V05G301V01 G301103 Física: Fundamentos de mecánica e termodinámica FB 76

    2023/2024

    Automatización de medicións eléctricas mediante LabVIEW de capas de semicondutores nun ambiente de sala limpa. - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007
    Automatización dunha estación de traballo en sala limpa ISO-7 para estruturación de chips mediante láser pulsado. - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2024/2025

    Fabricación de dispositivos de aislamento celular con sistemas micro-fluídicos mediante técnicas láser - Traballo Fin de Máster RD 1393/2007

    2022/2023

    Produción de MoS2 para semicondutores. Obtención e optimización do proceso. - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2021/2022

    Procesamento laser do SiC e a sua caracterización - Traballo Fin de Máster RD 1393/2007

    2020/2021

    Dispositivos Lab-on-a-chip compatibles - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2016/2017

    Fabricación e caracterización de contactos metal-semicondutor para microelectrónica - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007
    Produción de díodos de Silicio mediante procesamento láser e caracterización dos memos - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2015/2016

    Procesamento láser de aliaxes heteroepitaxiais de Xermanio-Chumbo (GePb) para heteroestruturas con salto de banda directo - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007